H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路是控制直流電機(jī)正反轉(zhuǎn)、調(diào)速的核心拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于機(jī)器人、電動(dòng)工具、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。其核心是利用四個(gè)開(kāi)關(guān)元件（通常是MOS管）構(gòu)成類(lèi)似字母“H”的橋臂，通過(guò)精準(zhǔn)控制開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)改變電機(jī)兩端的電壓極性和大小，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)的雙向驅(qū)動(dòng)與調(diào)速。

一、H橋電路基本工作原理

一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的H橋由四個(gè)開(kāi)關(guān)（S1, S2, S3, S4）和一個(gè)直流電機(jī)組成。電機(jī)連接在兩個(gè)半橋的中點(diǎn)之間。其控制邏輯如下：

• 正轉(zhuǎn)：閉合S1和S4，斷開(kāi)S2和S3。電流從電源正極經(jīng)S1、電機(jī)、S4流回負(fù)極。
• 反轉(zhuǎn)：閉合S2和S3，斷開(kāi)S1和S4。電流路徑相反，電機(jī)兩端電壓極性反轉(zhuǎn)。
• 制動(dòng)/剎車(chē)：可同時(shí)閉合S1和S2，或S3和S4，將電機(jī)兩端短路，實(shí)現(xiàn)能耗制動(dòng)。
• 停止/懸空：所有開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，電機(jī)自由停止。

為了避免上下橋臂直通導(dǎo)致電源短路（俗稱(chēng)“穿通”），控制信號(hào)必須加入“死區(qū)時(shí)間”，確保一個(gè)橋臂關(guān)斷后，另一個(gè)橋臂才導(dǎo)通。

二、MOS管在H橋中的關(guān)鍵作用與選型

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管）因其開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、驅(qū)動(dòng)功率小等優(yōu)點(diǎn)，成為現(xiàn)代H橋的首選開(kāi)關(guān)元件。設(shè)計(jì)時(shí)需重點(diǎn)關(guān)注以下參數(shù)：

1. 耐壓（Vds）：必須高于電源電壓并留有余量，以應(yīng)對(duì)電機(jī)感性負(fù)載產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)。
2. 最大持續(xù)電流（Id）：需大于電機(jī)工作電流，并考慮啟動(dòng)或堵轉(zhuǎn)時(shí)的峰值電流。
3. 導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：Rds(on)越低，導(dǎo)通損耗越小，發(fā)熱也越少，效率越高。
4. 柵極電荷（Qg）與開(kāi)關(guān)速度：Qg影響驅(qū)動(dòng)電路的電流需求和開(kāi)關(guān)損耗，高速應(yīng)用需選擇Qg小的MOS管。
5. 封裝與散熱：根據(jù)電流大小選擇合適封裝（如TO-220, D2PAK等），并設(shè)計(jì)良好散熱路徑。

三、KIA（KIA IC）MOS管選型參考

在集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，KIA Semiconductor（其官網(wǎng)為kiaic.com）提供了多種適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOS管產(chǎn)品。設(shè)計(jì)者可在其官網(wǎng)根據(jù)以下關(guān)鍵參數(shù)篩選：

• 電壓等級(jí)：如30V, 40V, 60V, 100V等系列，適用于不同電源電壓的電機(jī)系統(tǒng)。
• 電流能力：從幾安培到數(shù)十安培的型號(hào)，滿(mǎn)足不同功率需求。
• 低Rds(on)：KIA的多款MOS管致力于提供極低的導(dǎo)通電阻，以提升整體驅(qū)動(dòng)效率。
• 產(chǎn)品類(lèi)型：包括N溝道和P溝道MOS管，方便設(shè)計(jì)者根據(jù)電路拓?fù)洌ㄈ缛玁管橋或N+P組合橋）選擇。

四、H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原理圖要點(diǎn)

一個(gè)完整的H橋驅(qū)動(dòng)原理圖不僅包含四個(gè)MOS管，還必須集成以下關(guān)鍵部分：

1. 柵極驅(qū)動(dòng)電路：通常使用專(zhuān)用的半橋或全橋驅(qū)動(dòng)器IC（如IR2104, DRV8701等）。該電路負(fù)責(zé)將微控制器（MCU）輸出的低壓邏輯信號(hào)，轉(zhuǎn)換為能夠快速、有力地開(kāi)啟和關(guān)閉MOS管柵極的高壓/大電流驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并提供必要的死區(qū)時(shí)間控制。
2. 電源與濾波：為驅(qū)動(dòng)電路和功率級(jí)提供穩(wěn)定、干凈的電源，并加入去耦電容。
3. 保護(hù)電路：

• 電流采樣與過(guò)流保護(hù)：通過(guò)采樣電阻檢測(cè)電機(jī)電流，防止過(guò)載。

• 溫度監(jiān)測(cè)：在MOS管附近設(shè)置熱敏電阻或利用驅(qū)動(dòng)IC的溫度保護(hù)功能。

• 續(xù)流二極管：MOS管內(nèi)部通常有體二極管，但在大電流或高頻場(chǎng)合，可能需要并聯(lián)肖特基二極管以提供更好的續(xù)流路徑，保護(hù)MOS管。

1. 信號(hào)隔離（可選）：在高壓或噪聲大的場(chǎng)合，可能需要在MCU與驅(qū)動(dòng)電路間使用光耦或數(shù)字隔離器。

五、設(shè)計(jì)流程與

設(shè)計(jì)一個(gè)可靠的MOS管H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，可遵循以下流程：明確電機(jī)參數(shù)（電壓、電流）→ 計(jì)算功率需求 → 選擇合適的MOS管（如從KIA等供應(yīng)商選型）→ 選擇匹配的柵極驅(qū)動(dòng)器IC → 設(shè)計(jì)原理圖，集成驅(qū)動(dòng)、保護(hù)、電源電路 → PCB布局時(shí)特別注意功率回路最小化、良好的接地和散熱設(shè)計(jì) → 軟件上實(shí)現(xiàn)死區(qū)時(shí)間與PWM調(diào)速控制。

成功的H橋設(shè)計(jì)是功率器件（如KIA MOS管）、驅(qū)動(dòng)集成電路、保護(hù)機(jī)制和PCB布局藝術(shù)的結(jié)合。深入理解原理，并嚴(yán)謹(jǐn)?shù)剡x擇與匹配各個(gè)組件，是構(gòu)建高效、可靠電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵。